发明名称 在多闸电晶体中形成闸极电极的结构与方法
摘要 在多闸电晶体中形成闸极电极的结构与方法在形成半导体元件的方法中,半导体鳍形成于半导体绝缘基材上。闸极介电层形成于至少一部份之半导体鳍上。第一闸极电极材料形成于闸极介电层上,而第二闸极电极材料形成于第一闸极电极材料上。平坦化第二闸极电极材料,接着选择性地相对第一闸极电极材料,蚀刻第二闸极电极材料。随后蚀刻第一闸极电极材料。
申请公布号 TW200501411 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW093103828 申请日期 2004.02.17
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨育佳;杨富量
分类号 H01L29/40 主分类号 H01L29/40
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路八号