| 摘要 |
本发明系关于一种在半导体元件中形成一闸电极之方法。本发明提供一种在一半导体内形成一闸电极之方法，该方法包括下述步骤：在一半导体基底之上部上依次形成一多晶矽膜及一金属矽化物膜；进行一退火制程，藉此结晶化该金属矽化物膜，促使该经结晶化之金属矽化物膜之蚀刻率相似于该多晶矽膜之蚀刻率；以及藉由使用该经结晶化之金属矽化物膜和该多晶矽膜的相似蚀刻率，同时针对该金属矽化物膜和该多晶矽膜进行一蚀刻制程来形成一闸电极。按照本发明，藉由退火制程结晶化矽化钨膜，并且同时蚀刻该多晶矽膜和该经结晶化之矽化钨膜，藉此防止该多晶矽膜形成任何凹痕，从而可能形成具有垂直轮廓之闸电极图样。 |
