具有高介电常数介电层之闸极结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种具有高介电常数介电层之闸极结构及其制作方法。包括下列步骤：提供一半导体基底，于上述半导体基底上形成一具有高介电常数之闸极介电层。形成一闸极导电层于介电层上。于上述闸极导电层上形成一图案化罩幕，以乾蚀刻法蚀刻闸极导电层及部分具有高介电常数之闸极介电层，再利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分具有高介电常数之闸极介电层，以形成一具有高介电常数闸极介电层之闸极结构。