| 摘要 |
形成矽麦克风所使用之步骤，提供一包含一重掺杂矽层、一矽层与一介于该两矽层间的中间氧化层之第一晶圆，在该第一晶圆之该重掺杂矽层表面上有一第一主要表面及在矽层上有一第二主要表面；一第二晶圆有一第一主要表面与一第二主要表面；至少在第一晶圆及第二晶圆的第一主要表面上形成一氧化层，并在该第一晶圆的第一主要表面上蚀刻一穿过该氧化层且进入到重掺杂矽层的凹穴；将第一晶圆的第一主要表面结合于第二晶圆的第一主要表面上；在第二晶圆的第二主要表面上形成一金属层，对该金属层及第二晶圆的第二主要表面图案化及蚀刻以制作声孔；在第一晶圆的重掺杂矽层上至少形成一电极及在第二晶圆上至少形成一电极；在矽麦克风制造期间至少从振膜的后部蚀刻第一晶圆的氧化层。 |
