具改良热持性之高能发光装置

摘要

一种发光装置包括一第一导电类型之第一半导体层、一主动区域以及一第二导电类型之第二半导体层。第一及第二接触层连接至该第一及第二半导体层。在一些实施例中，该第一及第二接触层至少之一具有大于3.5微米之厚度。在一些实施例中，一第一散热层连接至该第一及第二接触层之一。在一些实施例中，该第一及第二接触层之一藉由一长度大于宽度之焊互连连接至一子座。在一些实施例中，将一填胶设置于一子座和该第一及第二互连之一之间。