发明名称 矽磊晶晶圆及矽磊晶晶圆的制造方法
摘要 一种矽磊晶晶圆(W),其特征是具备在主表面(11)上具有COP(100)之矽单结晶基板(1),和该矽单结晶基板(1)之主表面(11)上已被气相成长之矽磊晶晶层(2),上述主表面(11,对于轴〔100〕从面(100)向〔011〕方向或〔0–1–1〕方向仅倾斜角度θ的同时,向〔01–1〕方向或〔0–11〕方向仅倾斜角度ψ,且,上述角度θ及上述角度ψ的至少一方为0°以上15′以下。
申请公布号 TW200500508 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW093110127 申请日期 2004.04.12
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 吉田知佐;角田均;加藤正弘
分类号 C30B15/20 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本