| 摘要 |
本发明系关于一种制造快闪记忆体装置之方法。在藉由应用一种自对位浅渠沟隔离(self–align shallow trenchisolation：SA–STI)设计所形成的快闪记忆体装置中，在将氧化物材料埋入隔离渠沟中后，会执行一抛光制程及一去除氮化物膜制程。接着，形成极佳平坦化之多层氧化物膜，执行一第一蚀刻制程以选择性去除一低电压电晶体／晶格区域中的氧化物膜至一厚度，执行一第二蚀刻制程以选择性去除一高电压电晶体区域及该低电压电晶体／晶格区域中的氧化物膜，直到曝一浮动闸的一多矽层。因此，在该第一蚀刻制程及该第二蚀刻制程期间，会将该高电压电晶体区域及该低电压电晶体／晶格区域中之元件隔离膜的突出部份蚀除至一厚度，而得以减低该等区域之间的EFH差异。 |
