发明名称 | 防止DRAM熔丝侧壁受侵蚀之方法METHOD FOR AVOIDING THE EROSION OF DRAM FUSE SIDEWALL | ||
摘要 | 揭示一种防止DRAM熔丝侧壁受侵蚀之方法,包含步骤有在基板上形成熔丝;在包含熔丝之基板上沉积一介电层;于介电层上沉积工作层,构成一中间结构;形成光阻剂于中间结构上,并加以蚀刻,形成熔丝开口,使熔丝暴露出;移除光阻剂;沉积一间隔层,至少覆盖熔丝之暴露部分;以及蚀刻间隔层,使余下的间隔层至少覆盖住熔丝的侧壁。亦揭示一种DRAM元件之熔丝结构,其特征在于熔丝周围之侧壁覆盖有具有保护功能之间隔层,故可防止因为清洗步骤残留于熔丝周围的水份与熔丝侧壁起反应而造成结构损伤。 | ||
申请公布号 | TW200501327 | 申请公布日期 | 2005.01.01 |
申请号 | TW092116325 | 申请日期 | 2003.06.17 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 吴国坚 |
分类号 | H01L21/8242 | 主分类号 | H01L21/8242 |
代理机构 | 代理人 | 黄庆源 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路六六九号 |