DRAM单元位元线及位元线接触结构形成方法

摘要

揭示一种动态随机存取记忆体单元位元线与位元线接触结构形成方法。以形成于氧化层之接触窗已填入复晶插塞之半成品结构为基础，本发明之方法包含步骤有：移除部分氧化层，以使插塞突出；使插塞之突出部分之暴露部分氧化；移除插塞之氧化部分；形成第一介电层于整体结构之上表面，使插塞之上表面露出；形成第二介电层于包含插塞上表面之第一介电层之上表面；于第二介电层上涂覆光阻剂，加以曝光、显影、蚀刻，以形成预定图案之沟渠；以及于沟渠填入金属，以形成位元线。