发出辐射之半导体组件

摘要

一种发出辐射之半导体组件，其层结构包含：一n–掺杂之局限层(14)，一p–掺杂之局限层(22)，及一配置在该n–掺杂之局限层(14)和该p–掺杂之局限层(22)之间之发出光子之活性层(18)。本发明中之设计方式是：该n–掺杂之局限层(14)是以第一n–掺杂物质(或二种不同之n–掺杂物质)来掺杂以产生一种高的活性掺杂及一种尖锐之掺杂外形，且该活性层(18)只以一种不同于第一掺杂物质之第二n–掺杂物质来掺杂以改良该活性层(18)之层品质。