| 摘要 |
本发明提出一种新颖的多层膜累崩光二极体，此元件具低累崩杂讯及高增益，本发明提供一由非晶质矽本质型的吸光区用以提高光吸收的效率，入射光于吸光区产生光电子电洞对。累崩区由三个重复的累崩单元所组成，每一个累崩单元由P–I–N型非晶碳化矽／I型非晶矽／I型非晶碳化矽多层膜所构成。由吸光区所产生的电子注入累崩区经P–I–N型非晶碳化矽的内建电场加速，经过N型非晶碳化矽／I型非晶矽时因光能带不连续而造成超加速，而于／I型非晶矽产生累崩而碰撞游离出电子电洞对，二次电子连同原来的入射电子继续进入下一累崩单元而使光电子讯号加以放大。因累崩所产生的电洞经高光能隙的非晶碳化矽而冷却并进入吸光区，连同吸光区因光所产生的电洞进入P^＋型电极。结果输出较高的光电流且具低适杂讯！ |
