形成包含自对准接触层半导体平台结构之方法及相关装置

摘要

本发明揭示一种形成半导体装置之方法，其可包含于一基板上形成一半导体层；及于与基板相对之半导体层上形成一接触层。在形成半导体层与接触层后，可将接触层与半导体层图案化，使得半导体层包含一平台，其具有一与基板相对之平台表面以及介于平台表面与基板间之平台侧壁，并使得图案化之接触层位于平台表面上。此外，并揭示相关结构与装置。