省略晶背绝缘之三维晶片堆叠接合结构及方法

摘要

一种省略晶背绝缘之三维晶片堆叠接合结构，其应用在多晶片堆叠整合技术中，系于上层晶片以穿孔构装制程形成一晶片接合结构，以与下层晶片之导体电性连接，且底层晶片以同样之晶片接合结构电性耦接至基板。本结构之特点在形成一绝缘突出部与一导体突出部于上层晶片背面，该绝缘突出部露出于该上层晶片背面并紧邻该导体突出部，以避免该导体突出部接触该上层晶片背面，形成一晶片接合结构，用以电性连接至下层晶片之导体部，因此以该晶片接合结构作为三维晶片堆叠电性连接的通道，且可省略该晶片之晶背绝缘制程，故有简化制程的优点。