| 摘要 |
一多位元非挥发性记忆体装置包括一夹在形成于一半导体基板(10)上之两绝缘层(12与16)之间的电荷储存层(14)。在该电荷储存层(14)上形成一厚氧化物层(18)，并在该厚氧化物层(18)中蚀刻一最小特征尺寸之孔。在该厚氧化物层(18)中形成一开口。形成于该电荷储存层上之该孔内壁上之侧壁间隔(60)具有一位于它们之间的空隙(62)，该空隙(62)系小于该最小特征尺寸。当蚀刻掉该电荷储存层时，该侧壁间隔(60)可实现遮蔽该电荷储存层(14)之部分的功能，以在该侧壁间隔(60)下面形成两个相隔离的电荷储存区域(55与57)。仅采用一遮蔽步骤即可制造该装置。将该等电荷储存区域隔离开可以防止电荷在氮化物中横向传导。 |
