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发明名称
半导体发光元件及其制造方法
摘要
一种半导体发光元件(Semiconductor Light Emitting Device)及其制造方法。此半导体发光元件至少包括光散射偏折层(Light Scattering-def1ecting Layer)位于具有凹凸不平表面之半导体层上。由于,光从光散射偏折层进入半导体层时,因折射率的不同可造成光的偏折,再加上光进入半导体层之凹凸不平的表面会形成散射。如此一来,可使此半导体发光元件射出更多的光,而提升此半导体发光元件之发光效率。
申请公布号
TW200501449
申请公布日期
2005.01.01
申请号
TW092121576
申请日期
2003.08.06
申请人
国联光电科技股份有限公司
发明人
蔡宗良;张智松;陈泽澎
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路十号九楼
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