以选择性隔绝闸极电极编码的唯读记忆元件

摘要

一种制造罩幕式唯读记忆元件的方法，包括于一基底上成长一介电层。于介电层上形成条状堆叠层，每一条状堆叠层有一多晶矽与一氮化矽层。而于条状堆叠层之间的基底中形成源极／汲极区，再于条状堆叠层之间沈积间隙壁。之后，图案化条状堆叠层成闸极，其系配置于每一码位置上，且有数个氮化矽可弃柱配置于闸极上。接着，于闸极间隙壁上形成额外的间隙壁。然后，去除氮化矽可弃柱，以暴露出闸极。之后，根据想要的编码形成一罩幕覆盖主动码位置，再经由罩幕于暴露出的闸极上沈积绝缘层。当罩幕去除后，形成内连于无绝缘层之闸极的字元线。