半导体装置及其制造方法

摘要

依本发明之半导体装置，系采用SiC作为基板，同时利用电浆处理来形成绝缘膜。此时，使绝缘膜中包含惰性气体。较佳的情况系作为惰性气体包含氪(Kr)、氩(Ar)、氙(Xe)之最少一种。特别较佳的情况系氧气与氪(Kr)的组合。