| 摘要 |
本发明系有关一种形成介电常数为2.5以下，杨氏模数为6.0GPa以上，且具有优良疏水性之低介电常数非晶质矽石系被膜及其形成方法之发明。此被膜之形成方法，包含(a)将四烷基正矽酸盐(TAOS)与特定之烷氧基矽烷(AS)于四烷基铵氢氧化物(TAAOH)之存在下进行水解所得之矽化合物，或将四烷基正矽酸盐(TAOS)于四烷基铵氢氧化物(TAAOH)之存在下进行水解或部分水解后，再与上述烷氧基矽烷(AS)或其水解物或水解物混合，或必要时可再将其一部份或全部水解所得之含有矽化合物之液状组成物之步骤与，(b)将该液状组成物涂覆于基板上之步骤与，(c)将该基板于80至350℃之温度下加热处理之步骤与，(d)将该基板于350至450℃温度下之进行烧培处理步骤。又，依此方法所制得之涂覆液，其为表面平滑且内部具有特定细孔之膜。 |
