发明名称 凸块制程
摘要 一种凸块制程,首先系提供一晶圆,该晶圆上具有复数个晶圆焊垫及保护层。其中,保护层系暴露出晶圆焊垫。接着,形成第一介电层于该晶圆上以形成复数个第一开口及第二开口,并使第一开口暴露出晶圆焊垫而第二开口暴露出保护层。之后,依序形成图案化第一导电层于第一介电层、暴露出第二开口之保护层及晶圆焊垫上,并直接形成图案化第二导电层于图案化第一导电层上。再者,形成第二介电层于第一介电层、图案化第二导电层上并暴露出设置于第二开口上方之图案化第二导电层以形成复数个凸块焊垫。其中,凸块焊垫藉由图案化第一导电层及图案化第二导电层与该等晶圆焊垫电性连接。最后,于凸块焊垫上形成凸块并回焊该凸块。
申请公布号 TW200501376 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW092117894 申请日期 2003.06.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 洪清富
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 刘正格
主权项
地址 高雄市楠梓加工区经三路二十六号