以高纯度氧化钼制成之光子装置

摘要

本发明着眼于光子装置，此发射或吸收具有波长短于GaN光子装置可发射或吸收者之光。本发明之装置使用高纯度之氧化钼作为发光区或吸光区制成。达成新低廉之光子装置，此发射具有波长自蓝至深紫外线之光。本发明之装置可在较低之温度，诸如700℃上制造。