| 主权项 |
1.一种裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,包含:一基板,其系具有一贯通容晶穴及一支撑部,该容晶穴系连通该基板之上表面与下表面,该支撑部系形成在该容晶穴内;一晶片,其系设于该容晶穴内,该晶片系具有一主动面及一背面,该晶片之背面系形成有一周边缺槽,使该晶片系具有略呈「T」形之截面,该周边缺槽系黏贴于该基板之支撑部;复数个焊线,其系电性连接该晶片与该基板;及一封胶体,其系形成于该容晶穴内,以密封该晶片与该些焊线而显露该晶片之背面。2.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该支撑部系为矩形环状。3.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该支撑部系为直条状。4.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该周边缺槽系形成在该晶片之背面之两相对侧边或是四周边。5.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该晶片之背面系与该基板之下表面为共平面。6.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该基板系为多层电路板。7.如申请专利范围第5项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其另包含复数个焊球,其系设于该基板之下表面。8.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该基板系为导线架。9.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该晶片系具有复数个焊垫,其系形成在该晶片之主动面周边,以供该些焊线之连接。10.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该晶片之主动面系形成在该基板之上表面与下表面之间。11.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该封胶体系为液态填充胶。12.如申请专利范围第1项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该晶片之主动面系介于该基板之上表面与下表面之间。13.如申请专利范围第1或12项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其另包含有一第二晶片,其系设于该基板之上表面。14.如申请专利范围第13项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其中该第二晶片之背面系贴设于该封胶体。15.如申请专利范围第13项所述之裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构,其另包含有一第二封胶体,其系密封该第二晶片。图式简单说明:第1图:习知晶片在容晶穴之半导体封装结构之截面示意图;第2图:依据本创作之第一具体实施例,一种裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构之截面示意图;第3图:依据本创作之第一具体实施例,该半导体封装结构之基板之上表面示意图;及第4图:依据本创作之第二具体实施例,另一种裸晶在基板容晶穴之半导体封装结构之截面示意图。 |
