半导体晶圆表面保护黏着薄膜及使用该黏着薄膜之半导体晶圆保护方法

摘要

〔课题〕提供即使于半导体晶圆被薄层化至厚度100μm以下之情况，亦可防止半导体晶圆之破损及污染的半导体晶圆表面保护用黏着薄膜、及使用该黏着薄膜之晶圆保护方法。〔解决手段〕于熔点至少为200℃、厚度为10~200μm之基材薄膜表里两面，形成150℃中之贮藏弹性率至少为1×105Pa，厚度为3~100μm之黏着剂层的半导体晶圆表面保护用黏着薄膜。

主权项

1.一种半导体晶圆表面保护黏着薄膜,其特征为其熔点至少为200℃、厚度为10~200m之基材薄膜的表里两面于150℃形成贮藏弹性率为1105Pa以上、1107Pa以下,厚度为3~100m的黏着剂层。2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆表面保护黏着薄膜,其中基材薄膜为由聚对酸乙二酯、聚二甲酸乙二酯、聚苯硫及聚醯亚胺所组成群中选出至少一种的树脂薄膜。3.一种半导体晶圆保护方法,其特征为依序实施介由基材薄膜之表里两面都具有黏着剂层之半导体晶圆表面保护用黏着薄膜,将半导体晶圆的电路形成面固定至支撑半导体晶圆之基板的第一步骤、透过该基板将半导体晶圆固定至研磨机,并且将半导体晶圆之非电路形成面予以机械性研磨的第二步骤、及、除去半导体晶圆之非电路形成面之破碎层的第三步骤之半导体晶圆之非电路形成面加工步骤中之半导体晶圆的保护方法,使用如申请专利范围第1项之半导体晶圆表面保护黏着薄膜做为该半导体晶圆表面保护用黏着薄膜。4.如申请专利范围第3项之半导体晶圆保护方法,其中该第三步骤为包含由湿式蚀刻步骤、电浆蚀刻步骤及抛光步骤中所选出的至少一种步骤。