| 主权项 |
1.一种覆晶在晶片上封装结构,其包含:一基板,其系具有一上表面及一下表面;一第一晶片,其系贴设于该基板之上表面,该第一晶片之主动面系朝上并形成有复数个凸块接垫及复数个焊线接垫,该些焊线接垫系形成有一抗氧化金属层;一第二晶片,其系覆晶接合于该第一晶片之主动面,该第二晶片之主动面系形成有复数个凸块,该些凸块系回焊接合于该些对应凸块接垫;及复数个焊线,其系连接该第一晶片之焊线接垫至该基板。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶在晶片上封装结构,其中该些焊线接垫系为铝垫。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶在晶片上封装结构,其中该抗氧化金属层系为镍金层[Ni-Au]。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶在晶片上封装结构,其中该些凸块接垫系形成有一凸块下金属层。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶在晶片上封装结构,其中该些凸块系为焊料凸块。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶在晶片上封装结构,其中该基板之上表面系形成有一封胶体,用以密封该第一晶片与该些焊线。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶在晶片上封装结构,其中该基板之下表面系形成有复数个焊球。8.一种覆晶在晶片上封装制程,其包含之步骤有:提供一基板,该基板系具有一上表面及一下表面;贴设一第一晶片于该基板之上表面,该第一晶片之主动面系朝上并形成有复数个凸块接垫及复数个焊线接垫,该第一晶片之该些焊线接垫系形成有一抗氧化金属层;覆晶接合一第二晶片于该第一晶片之主动面,该第二晶片之主动面系形成有复数个凸块;回焊该些凸块,以接合于该些对应凸块接垫;及打线形成复数个焊线,该些焊线系连接该第一晶片之焊线接垫至该基板。9.如申请专利范围第8项所述之覆晶在晶片上封装制程,其中该些焊线接垫系为铝垫。10.如申请专利范围第8项所述之覆晶在晶片上封装制程,其中该抗氧化金属层系为镍金层[Ni-Au]。11.如申请专利范围第8项所述之覆晶在晶片上封装制程,其中该些凸块接垫系形成有一阻障金属层。12.如申请专利范围第8项所述之覆晶在晶片上封装制程,其中该些凸块系为焊料凸块。13.如申请专利范围第8项所述之覆晶在晶片上封装制程,其另包含之步骤有:形成一封胶体于该基板之上表面,于打线形成焊线之步骤之后,用以密封该第一晶片与该些焊线。14.如申请专利范围第13项所述之覆晶在晶片上封装制程,其另包含之步骤有:形成复数个焊球于该基板之下表面,在形成封胶体之步骤之后。15.如申请专利范围第8项所述之覆晶在晶片上封装制程,其另包含之步骤有:电浆清洗该第一晶片与该基板,于打线形成焊线之步骤之前。图式简单说明:第1图:习知覆晶在晶片上封装结构之截面示意图;第2图:依据本发明,一种覆晶在晶片上封装结构之截面示意图;第3图:依据本发明,该覆晶在晶片上封装结构在回焊凸块步骤中之截面示意图;第4图:依据本发明,该覆晶在晶片上封装结构在回焊凸块步骤中其焊线接垫之局部放大截面示意图;及第5图:依据本发明,该覆晶在晶片上封装结构之制造流程图。 |
