| 主权项 |
1.一种微透镜之制造方法,其特征为包含以下步骤:于基板上形成第1薄膜的步骤,该第1薄膜对特定种类蚀刻剂之蚀刻率系和上述基板不同;在上述第1薄膜上形成遮罩的步骤,该遮罩为在欲形成微透镜之中心所对应位置开设有孔;及介由上述遮罩施予湿蚀刻而于上述基板形成非球面凹部用于界定上述微透镜之曲面的步骤。2.如申请专利范围第1项之微透镜之制造方法,其中上述第1薄膜之蚀刻率和上述基板比较为较高。3.如申请专利范围第1项之微透镜之制造方法,其中上述基板由透明基板构成;另具备以下步骤,亦即在上述凹部内将折射率大于上述透明基板之透明媒质予以注入。4.如申请专利范围第1项之微透镜之制造方法,其中上述第1薄膜由透明薄膜或非透明薄膜构成。5.如申请专利范围第1项之微透镜之制造方法,其中上述第1薄膜由氧化矽膜或氮化矽膜构成。6.如申请专利范围第1项之微透镜之制造方法,其中上述蚀刻率之控制,系藉由上述第1薄膜之种类、上述第1薄膜之形成方法、上述第1薄膜之形成条件及上述第1薄膜形成后之热处理温度之中至少1个条件设定予以进行。7.如申请专利范围第1项之微透镜之制造方法,其中上述遮罩由多晶矽膜、非晶质矽膜或耐氟酸膜构成。8.如申请专利范围第1至7项中任一项之微透镜之制造方法,其中上述微透镜以矩阵状多数形成于上述基板上。9.一种微透镜,其特征为:藉由申请专利范围第1项之微透镜之制造方法所制造者。10.一种光电装置,其特征为具备:申请专利范围第9项之微透镜;与该微透镜呈对向配置的显示用电极;及连接于该显示用电极的配线或电子元件。11.一种电子机器,其特征为具备申请专利范围第10项之光电装置。12.一种微透镜阵列板,其特征为具备:多数之微透镜;透明构件,其具有凹状下陷部用于界定上述微透镜之底部;薄膜,其形成于上述透明构件上,和上述凹状下陷部对应而被形成,且具有开口用于界定上述微透镜之周缘部;及覆盖构件,其形成于上述薄膜上;上述微透镜之断面形状为半椭圆形状。13.如申请专利范围第12项之微透镜阵列板,其中上述薄膜之于透镜面之切线,与上述透明构件所界定透镜面之于周缘之切线之间之角度构成为50-60度。14.如申请专利范围第12项之微透镜阵列板,其中上述薄膜中之透镜面之断面形状为直线状。15.一种光电装置,其特征为具备:申请专利范围第12项之微透镜阵列板;与该微透镜呈对向配置的显示用电极;及连接于该显示用电极的配线或电子元件。16.一种电子机器,其特征为具备申请专利范围第15项之光电装置。图式简单说明:图1:本发明之微透镜阵列板之实施形态之概略斜视图。图2:微透镜阵列板之实施形态之中,4个微透镜相关部分之扩大之一部分扩大平面图。图3:微透镜阵列板之实施形态之一部分扩大断面图。图4:微透镜阵列板之实施形态之中,另一微透镜相关部分扩大之一部分扩大断面图。图5:本发明之微透镜阵列板之变形例之一部分扩大断面图。图6:本发明光电装置之实施形态中由对向基板侧观看TFE阵列基板及其上形成之各构成要素之平面图。图7:图6之H-H'线断面图。图8:光电装置之实施形态中构成影像显示区域之矩阵状多数画素上设置之各元件、配线等之等效电路之方块图。图9:光电装置之实施形态中形成有资料线、扫描线、画素电极等之TFE阵列基板之相邻接多数画素群之平面图。图10:图9之A-A'线断面图。图11:光电装置之实施形态中,藉由作为对向基板使用之微透镜阵列板之各微透镜聚集射入光之模样之概略断面图。图12:微透镜阵列板之制造方法之步骤图。图13:本发明电子机器之实施形态之多板式彩色投影机之一例之彩色液晶投影机之断面图。 |
