| 主权项 |
1.一种中空阵列之制造方法,包含以下之步骤:提供一基板,该基板上具有一介电基材;将该介电基材加热至其玻璃转移温度以上,并维持于该恒温状态;将一电极光罩置放于该介电基材之上方特定距离,并加一电场于该电极光罩与该介电基材之间,进行一静电微影制程,使得该电极光罩之电极区下之该基板完全裸露以形成一中空阵列图案;将温度下降至该玻璃转移温度以下,以进行该介电基材之固化;以及移除该电极光罩。2.如申请专利范围第1项之中空阵列之制造方法,其中该基板为一绝缘基板。3.如申请专利范围第2项之中空阵列之制造方法,其中该绝缘基板为一玻璃或一塑胶基板。4.如申请专利范围第2项之中空阵列之制造方法,其中该绝缘基板为一矽晶圆。5.如申请专利范围第1项之中空阵列之制造方法,其中该介电基材为一高分子材料。6.如申请专利范围第5项之中空阵列之制造方法,其中该高分子材料为一环氧树脂。7.如申请专利范围第5项之中空阵列之制造方法,其中该高分子材料为一聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)。8.如申请专利范围第5项之中空阵列之制造方法,其中该高分子材料为一压克力或一聚苯乙烯(polystyrene, PS)。9.如申请专利范围第1项之中空阵列之制造方法,其中该电极光罩包括一基板与一电极。10.如申请专利范围第9项之中空阵列之制造方法,其中该电极之材料为铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)、铝(Al)、铬(Cr)、氧化锌(zinc oxide, ZnO)或铟锌氧化物(indium zinc oxides)。11.如申请专利范围第1项之中空阵列之制造方法,更包括一将显示媒介材料注入该中空阵列之步骤。12.如申请专利范围第11项之中空阵列之制造方法,其中该显示媒介材料为一液晶材料。13.如申请专利范围第11项之中空阵列之制造方法,其中该显示媒介材料为一电泳材料。14.一种中空阵列之制造方法,包含以下之步骤:提供一基板;形成一介电基材于该基板之上;将该介电基材加热至其玻璃转移温度以上,并维持于该恒温状态;将一电极光罩置放于该介电基材之上方特定距离,并加一电场于该电极光罩与该介电基材之间,进行一静电微影制程,使得该电极光罩之电极区下之该基板完全裸露以形成一中空阵列图案;将温度下降至该玻璃转移温度以下,以进行该介电基材之固化;以及移除该电极光罩。15.如申请专利范围第14项之中空阵列之制造方法,其中该基板为一绝缘基板,该基板为一玻璃、一矽晶圆或一塑胶基板。16.如申请专利范围第14项之中空阵列之制造方法,其中该介电基材为一高分子材料,该高分子材料为一环氧树脂、一聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)、一压克力或一聚苯乙烯(polystyrene, PS)。17.如申请专利范围第14项之中空阵列之制造方法,其中该介电基材之形成方法为直接印刷(printing)或旋转涂布(spin coating)。18.如申请专利范围第14项之中空阵列之制造方法,其中该电极光罩包括一基板与一电极,该电极之材料为铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)、铝(Al)、铬(Cr)、氧化锌(zinc oxide, ZnO)或铟锌氧化物(indium zincoxides)。19.如申请专利范围第14项之中空阵列之制造方法,更包括一将显示媒介材料注入该中空阵列之步骤。20.如申请专利范围第19项之中空阵列之制造方法,其中该显示媒介材料为一液晶材料或一电泳材料。21.一种中空阵列之制造方法,包含以下之步骤:提供一基板,该基板上具有一介电基材;将该介电基材加热至其玻璃转移温度以上,并维持于该恒温状态;将一电极光罩置放于该介电基材之上方特定距离,加一电场于该电极光罩与该介电基材之间,以进行一静电微影制程,并形成该电极光罩之电极区下之该介电基材比该电极光罩之非电极区下之该介电基材厚之中空阵列图案;将温度下降至该玻璃转移温度以下,以进行该介电基材之固化;以及移除该电极光罩。22.如申请专利范围第21项之中空阵列之制造方法,其中该基板为一绝缘基板。23.如申请专利范围第22项之中空阵列之制造方法,其中该绝缘基板为一玻璃或一塑胶基板。24.如申请专利范围第22项之中空阵列之制造方法,其中该绝缘基板为一矽晶圆。25.如申请专利范围第21项之中空阵列之制造方法,其中该介电基材为一高分子材料。26.如申请专利范围第25项之中空阵列之制造方法,其中该高分子材料为一环氧树脂。27.如申请专利范围第25项之中空阵列之制造方法,其中该高分子材料为一聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)或一聚苯乙烯(polystyrene, PS)。28.如申请专利范围第25项之中空阵列之制造方法,其中该高分子材料为一压克力。29.如申请专利范围第21项之中空阵列之制造方法,其中该电极光罩包括一基板与一电极。30.如申请专利范围第29项之中空阵列之制造方法,其中该电极之材料为铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)、铝(Al)、铬(Cr)、氧化锌(zinc oxide, ZnO)或铟锌氧化物(indium zinc oxides)。31.如申请专利范围第21项之中空阵列之制造方法,更包括一将显示媒介材料注入该中空阵列之步骤。32.如申请专利范围第31项之中空阵列之制造方法,其中该显示媒介材料为一液晶材料。33.如申请专利范围第31项之中空阵列之制造方法,其中该显示媒介材料为一电泳材料。34.如申请专利范围第21项之中空阵列之制造方法,更包括一将该基板剥离之步骤。图式简单说明:第一图是根据本发明所显示之形成介电基材于基板上之示意图;第二图是根据本发明所显示之将一电极光罩置放于介电基材之上方并加一电压之示意图;第三图是根据本发明所显示之将一电极光罩置放于介电基材之上方并加一电压一段时间之后之示意图;第四图是根据本发明所显示之将一显示媒介材料注入中空阵列之示意图;第五图是根据本发明所显示之将一注入显示媒介材料之中空阵列之基板剥离之示意图;第六图是根据本发明之另一实施例所显示之将一电极光罩置放于介电基材之上方并加一电压一段时间之后之示意图;第七图是根据本发明之另一实施例所显示之将一显示媒介材料注入中空阵列之示意图; |
