| 主权项 |
1.一种液晶显示器之制造方法,该液晶显示器具有复数画素单元,包括如下步骤:形成一闸极型样于一基板上,该闸极型样包括互相间隔开之复数闸极线,以及一闸极电极阵列与该等闸极线构成电性连接;形成一通道层阵列与该闸极电极阵列互相隔离;形成一源/汲极对阵列于该通道阵列上,该源/汲极对阵列中之每一对源极和汲极系互相间隔开;以及形成一画素电极阵列,分别耦接该源/汲极对阵列中之该等汲极;其中,在形成该闸极型样或该源/汲极对阵列之步骤中,至少包括如下之步骤:形成一光阻层;将该光阻层至少分成一第一区、一第二区、及一位于该第一及第二区之间的交界区,该交界区依据一边界线而分成一第一部分和一第二部分;使用一第一光罩,定义该第一区及该第一部分;使用一第二光罩,定义该第二区及该第二部分;其中,该交界区对应于该闸极电极阵列或该源/汲极对阵列之一子阵列;对于该子阵列中之每一列闸极电极或每一列源/汲极对,该边界线系以一特定型式进行分割,使该列闸极电极中之所有闸极电极、或该列源/汲极对中之所有源/汲极对,在该第一部分内由该第一光罩所定义之面积大小系由小而大(或由大而小)递变,而在该第二部分内由该第二光罩所定义之面积大小系由大而小(或由小而大)递变。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线对每一列闸极电极或每一列源/汲极对系以直线方式分割。3.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线对每一列闸极电极或每一列源/汲极对系以阶梯线方式分割。4.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线对每一列闸极电极或每一列源/汲极对系以波浪线方式分割。5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线对每一列闸极电极或每一列源/汲极对系以嵌入线方式分割。6.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线从该第一区往该第二区,再从第二区往该第一区进行往复之分割。7.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线从该第一区往该第二区分割后,回折至该第一区再往该第二区,如此进行往复之分割。8.一种液晶显示器,可以避免因两个不同光罩之交界地带所造成之银幕区块(shot mura)现象,系使用如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之制造方法制作而得。9.一种液晶显示器之制造方法,该液晶显示器具有复数画素单元,包括如下步骤:于一基板上,形成一闸极形样、一闸极电极阵列、一与该闸极电极阵列互相隔离之通道层阵列、一源/汲极对阵列、及一画素电极阵列;该闸极型样包括互相间隔开之复数闸极线分别与该闸极电极阵列构成电性连接,该源/汲极对阵列中之每一对源极和汲极系互相间隔开,该画素电极阵列分别耦接该源/汲极对阵列中之该等汲极;其中,在形成该闸极型样或该源/汲极对阵列之步骤中,至少包括如下之步骤:形成一光阻层;将该光阻层至少分成一第一区、一第二区、及一位于该第一及第二区之间的交界区,该交界区依据一边界线而分成一第一部分和一第二部分;使用一第一光罩,定义该第一区及该第一部分;使用一第二光罩,定义该第二区及该第二部分;其中,该交界区对应于该闸极电极阵列或该源/汲极对阵列之一子阵列;对于该子阵列中之每一列闸极电极或每一列源/汲极对,该边界线系以一特定型式进行分割,使该列闸极电极中之所有闸极电极、或该列源/汲极对中之所有源/汲极对,在该第一部分内由该第一光罩所定义之面积大小系沿一特定方向由小而大(或由大而小)递变,而在该第二部分内由该第二光罩所定义之面积大小系沿该特定方向由大而小(或由小而大)递变。10.如申请专利范围第9项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线对每一列闸极电极或每一列源/汲极对系以直线方式分割。11.如申请专利范围第9项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线对每一列闸极电极或每一列源/汲极对系以阶梯线方式分割。12.如申请专利范围第9项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线对每一列闸极电极或每一列源/汲极对系以波浪线方式分割。13.如申请专利范围第9项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线对每一列闸极电极或每一列源/汲极对系以嵌入线方式分割。14.如申请专利范围第9项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线从该第一区往该第二区,再从第二区往该第一区进行往复之分割。15.如申请专利范围第9项所述之液晶显示器之制造方法,其中,该边界线从该第一区往该第二区分割后,回折至该第一区再往该第二区,如此进行往复之分割。图式简单说明:第1图表示传统薄膜电晶体液晶显示器之显示单元电路图。第2图显示传统主动阵列式之平面架构示意图。第3图显示第2图中BL两侧之显示单元之布局图。第4图显示本发明TFT-LCD之平面布局示意图。第5A、5B图显示本发明TFT-LCD之另一种平面布局示意图。 |
