氮化镓系发光二极体结构

摘要

一种氮化镓系发光二极体结构。一透光导电氧化层形成于一具有表面织状纹路层(textured layer)之氮化镓接触层上，作为一窗户层(window layer)，并以该织状纹路层作为与该透光导电氧化层之欧姆接触层，如此能有效地降低接触阻抗及工作电压，同时以该织状纹路层中断光导效应，增加光萃取(light extracting)效率，进而提高外部量子效率。

主权项

1.一种氮化镓系发光二极体结构,其包括:一基板;一半导体堆叠层,接于该基板之上方,由下而上包含一n型氮化镓系层、一发光层、一p型氮化镓系层;一织状纹路层,位于该p型氮化镓系层之上方;一导电透光氧化层,位于该织状纹路层上方,并与该织状纹路层形成欧姆接触;一第一电极,与该半导体堆叠层中之n型氮化镓系层电性耦合;及一第二电极,与该导电透光氧化层电性耦合。2.如申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二极体,其中该织状纹路层可为n型、p型掺杂或双掺杂型之氮化镓系层。3.如申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二极体,其中该透光导电氧化物层可为一氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化锌或氧化铟锡。4.如申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二极体,其中该发光层系为一含铟组成之氮化镓系层。5.如申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二极体,其中该织状纹路层为一氮极化表面层。图式简单说明:第一图系为习用技术氮化镓系发光二极体结构示意图;第二图系为习用技术氮化铟镓发光二极体结构示意图;第三图系为本创作氮化镓系发光二极体结构示意图;