| 主权项 |
1.一种焊锡凸块的形成方法,包含:提供一基底,具有一金属层于一表面上;形成一图形化的罩幕层于该金属层上,暴露部分该金属层;以及以电镀法形成一银含量为1.6~3.0重量百分比(wt%)的焊锡(solder)凸块于暴露的该金属层上。2.如申请专利范围第1项所述之焊锡凸块的形成方法,其中形成该焊锡凸块之后更包含:移除该图形化的罩幕层;以及以该焊锡凸块为罩幕,图形化该金属层为一凸块下金属层(Under-Bump Metallurgy Layer;UBM Layer)。3.如申请专利范围第1项所述之焊锡凸块的形成方法,其中形成该焊锡凸块之后更包含:移除该图形化的罩幕层;以该焊锡凸块为罩幕,图形化该金属层为一凸块下金属层;以及对该焊锡凸块执行一重流之步骤,成为大体为球形的焊锡凸块。4.如申请专利范围第1项所述之焊锡凸块的形成方法,其中形成该焊锡凸块之后更包含:在该金属层通过具有一第一电流値的电流,执行第一段电镀,直到该焊锡凸块的高度大体与该图形化的罩幕层同高,并使通过该焊锡凸块的电流具有一既定电流密度;在该金属层通过具有一第二电流値的电流,执行第二段电镀,直到该焊锡凸块的高度大体为该图形化的罩幕层高度的1.2倍,其中该第二电流値大于该第一电流値,并使通过该焊锡凸块的电流具有该既定电流密度;以及在该金属层通过具有一第三电流値的电流,执行第三段电镀,其中该第三电流値不小于该第二电流値,并使通过该焊锡凸块的电流具有该既定电流密度。5.如申请专利范围第4项所述之焊锡凸块的形成方法,其中该既定电流密度为2~7 ASD(每平方公寸之安培数)。6.如申请专利范围第4项所述之焊锡凸块的形成方法,其中该第二电流値为该第一电流値的2.0~3.0倍大。7.如申请专利范围第4项所述之焊锡凸块的形成方法,其中该第三电流値为该第一电流値的3.0~4.0倍大。8.如申请专利范围第1项所述之焊锡凸块的形成方法,其中该焊锡凸块不含铅。9.一种焊锡凸块的形成方法,包含:提供一基底,具有一金属层于一表面上;形成一图形化的罩幕层于该金属层上,暴露部分该金属层;在该金属层通过具有一第一电流値的电流,执行第一段电镀,形成高度大体与该图形化的罩幕层同高的一银含量为1.6~3.0重量百分比(wt%)的焊锡凸块,并使通过该焊锡凸块的电流具有一既定电流密度;在该金属层通过具有一第二电流値的电流,执行第二段电镀,直到该银含量为1.6~3.0重量百分比的焊锡凸块的高度大体为该图形化的罩幕层高度的1.2倍,其中该第二电流値大于该第一电流値,并使通过该焊锡凸块的电流具有该既定电流密度;在该金属层通过具有一第三电流値的电流,执行第三段电镀,其中该第三电流値不小于该第二电流値,直到该银含量为1.6~3.0重量百分比的焊锡凸块的高度到达一既定高度,并使通过该焊锡凸块的电流具有该既定电流密度;移除该图形化的罩幕层;以及以该焊锡凸块为罩幕,图形化该金属层为一凸块下金属层。10.如申请专利范围第9项所述之焊锡凸块的形成方法,其中该既定电流密度为2~7 ASD(每平方公寸之安培数)。11.如申请专利范围第9项所述之焊锡凸块的形成方法,其中该第二电流値为该第一电流値的2.0~3.0倍大。12.如申请专利范围第9项所述之焊锡凸块的形成方法,其中该第三电流値为该第一电流値的3.0~4.0倍大。13.如申请专利范围第9项所述之焊锡凸块的形成方法,更包含:对该银含量为1.6~3.0重量百分比的焊锡凸块执行一重流之步骤,成为大体为球形的焊锡凸块。14.如申请专利范围第9项所述之焊锡凸块的形成方法,其中该银含量为1.6~3.0重量百分比的焊锡凸块不含铅。图式简单说明:第1图为一剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤1。第2图为一剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤2,形成图案化的罩幕层120。第3图为一剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤3之电镀步骤。第4图为一剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤4之电镀步骤。第5图为一剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤5之电镀步骤。第6图为一剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤6,移除图案化的罩幕层120。第7图为一剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤7,将金属层110图案化为凸块下金属层112。第8图为一剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤8,对焊锡凸块140施以一重流的步骤。第9图为一光学显微镜照片,系显示习知的焊锡凸块外观呈现橘皮般之皱折的球表面之表面。第10图为一光学显微镜照片,系显示习知的焊锡凸块外观呈现球形塌陷无法成球形。第11图为一光学显微镜照片,系用以比较以本发明之焊锡凸块的形成方法所形成的焊锡凸块之外观、以及习知的焊锡凸块外观。 |
