| 主权项 |
1.一种基板处理装置,其特征在于具备:处理室,其系收纳基板者;载置台,其系载置收纳于前述处理室之基板者;加热构件,其系配设于前述载置台内,加热前述基板者;密封构件,其系介于前述载置台与前述处理室之间者;及冷却机构,其系具备前述冷却媒体,藉由前述冷却媒体之蒸发潜热而冷却前述密封构件者。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中前述冷却机构具备气密容器,其系收纳前述冷却媒体,并且内部被减压者。3.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中进一步具备:温度感测器,其系配设于前述密封构件附近者;及冷却机构控制器,其系根据前述温度感测器之测定结果控制前述冷却机构者。4.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中进一步具备处理气体供给系统,其系将处理气体供给至前述处理室内者。5.如申请专利范围第4项之基板处理装置,其中前述处理气体供给系统,其系由将相异之处理气体供给至前述处理室内之复数处理气体供给系统所构成;并进一步具备处理气体供给系统控制器,其系控制前述各处理气体供给系统,以便交互供给前述处理气体者。6.一种基板处理装置,其特征在于具备:处理室,其系收纳基板者;载置台,其系具备:载置部,其系载直收纳于前述处理室之基板者;及支持部,其系支持前述载置部者;加热构件,其系配设于前述载置部内,加热前述基板者;密封构件,其系介于前述支持部与前述处理室之间者;及遮蔽构件,其系遮蔽由前述载置部朝向前述密封构件之热辐射者。7.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其中前述遮蔽构件系至少覆盖前述载置部之背面之至少一部份。8.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其中进一步具备使前述基板升降之基板升降构件,并且前述遮蔽构件支持前述基板升降构件。9.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其中进一步具备处理气体供给系统,其系将处理气体供给至前述处理室内者。10.如申请专利范围第9项之基板处理装置,其中前述处理气体供给系统,其系由将相异之处理气体供给至前述处理室内之复数处理气体供给系统所构成;并进一步具备处理气体供给系统控制器,其系控制前述各处理气体供给系统,以便交互供给前述处理气体者。图式简单说明:图1系表示第一实施型态之成膜装置之模式构成图。图2A系表示第一实施型态之晶圆升降栓支持台之模式平面图,图2B系表示第一实施型态之晶圆升降栓支持台之模式垂直剖面图。图3A系表示第一实施型态之遮蔽套之模式平面图,图3B系表示第一实施型态之遮蔽套之模式垂直剖面图。图4系表示第一实施型态之冷却机构之模式构成图。图5系表示第一实施型态之成膜装置所进行之处理之流程之流程图。图6A~图6D系表示第一实施型态之成膜装置所进行之处理之模式图。图7系表示第二实施型态之成膜装置之模式构成图。图8系表示第二实施型态之成膜装置所进行之处理之流程之流程图。图9A系表示第三实施型态之晶圆升降栓支持台之模式平面图,图9B系表示第三实施型态之晶圆升降栓支持台之模式垂直剖面图。图10A系表示第三实施型态之晶圆升降栓支持台之模式平面图,图10B系表示第三实施型态之晶圆升降栓支持台之模式垂直剖面图。 |
