| 主权项 |
1.一种横向绝缘闸双极性电晶体结构,包括一基板,该基板上系形成有一P型基极层(P Base)、一N型缓冲区(N Buffer)及一位于该P型基极层及N型缓冲区间,且具有一场氧化层之漂移区,该N型缓冲区上系具有P、N型阳极端所形成之阳极端,且该P型基极层上系具有P、N型阴极端所形成之阴极端,该阴极端系具有一闸极,而该阳极端与阴极端皆为P+/N+平行对接节段(Segmented-Anode-Segmented-Cathode, SASC),且该阳极端系为分离且对称式(Separated-and-Asymmetric)之结构,可使电子/电洞路径完全分离。2.如申请专利范围第1项所述之横向绝缘闸双极性电晶体结构,其中,该基板系可为一绝缘埋入层(Buried Oxide)。3.如申请专利范围第1项所述之横向绝缘闸双极性电晶体结构,其中,该基板系可为一P型基板(PSubstrate)。4.如申请专利范围第1项所述之横向绝缘闸双极性电晶体结构,其中,该漂移区系可为一N型漂移区(N-Drift Region)。5.如申请专利范围第1项所述之横向绝缘闸双极性电晶体结构,其中,该场氧化层系由二氧化矽(SiO2)所构成。6.一种横向绝缘闸双极性电晶体结构,包括一基板,该基板上系形成有一P型基极层(P Base)、一N型缓冲区(N Buffer)、及一位于该P型基极层及N型缓冲区间,且具有一场氧化层之漂移区,该N型缓冲区上系具有P、N型阳极端所形成之阳极端,且该P型基极层上系具有P、N型阴极端所形成之阴极端,该阴极端系具有一闸极,而该阳极端与阴极端系为P+/N+平行对接节段(Segmented-Anode-Segmented-Cathode, SASC),且该漂移区则分别是N-型、P-型的平行带状区块(N-Drift Region、P-Drift Region),形成一横向绝缘闸双极性电晶体与一逆偏PIN飞轮二极体并联的结构,可使电子/电洞路径部份分离。7.如申请专利范围第6项所述之横向绝缘闸双极性电晶体结构,其中,该基板系可为一绝缘埋入层(Buried Oxide)。8.如申请专利范围第6项所述之横向绝缘闸双极性电晶体结构,其中,该基板系可为一P型基板(PSubstrate)。9.如申请专利范围第6项所述之横向绝缘闸双极性电晶体结构,其中,该场氧化层系由二氧化矽(SiO2)所构成。图式简单说明:第1图,系本发明第一实施例之横向绝缘闸双极性电晶体结构示意图。第2图,系本发明第一实施例之电子流、电洞流路径示意图。第3图,系本发明第一实施例之P-base/N-drift接面电洞流/电子流向量图。第4图,系本发明第一实施例之电子流所受的场力示意图。第5图,系本发明第一实施例与传统SOI LIGBTT的顺向I-V曲线比较图。第6图,系本发明第一实施例与传统SA SOI LIGBT的顺向I-V曲线比较图。第7图,系本发明第一实施例与传统JI LIGBT的顺向I-V曲线比较图。第8图,系本发明第二实施例横向绝缘闸双极性电晶体之结构示意图。第9图,系本发明第二实施例与其电子流、电洞流路径示意图。第10图,系本发明第二实施例截止状态下的表面电场分布示意图。第11图,系本发明第二实施例之等效电路示意图。第12图,系本发明第二实施例与传统SOI LIGBTT的顺向I-V曲线比较示意图。第13图,系本发明第一实施例之横向绝缘闸双极性电晶体结构光罩绘制示意图。第14图,系本发明第二实施例之横向绝缘闸双极性电晶体结构光罩绘制示意图。第15图,传统短路阳极横向绝缘闸双极性电晶体示意图。第16图,传统横向绝缘闸双极性电晶体之示意图。第17图,系第16图之绝缘闸双极性电晶体I-V曲线之负微分电阻(NDR)特性图。 |
