为多层晶圆之环之预防性处理方法

摘要

本发明关于一种藉由层转移所制成并由从半导体材料中选出的材料所构成之多层晶圆之环之处理方法，该晶圆包含在一外表区域与一基底层之间的至少一中间层，其特征为该方法包含该晶圆之快速热退火，以藉由该晶圆之该表面之该外表区域之一层而致使该中间层之该周边边缘之重叠与包封，以便在该晶圆随后的处理步骤期间避免对该晶圆之该中间层之该周边部分侵蚀。本发明亦关于一种相关的多层晶圆。