| 摘要 |
一种主动矩阵阵列装置(100)，有复数个主动矩阵阵列元件(110a–i)，每个均有一电荷储存元件(112a–i)及一电容输出元件(114a–i)，且均透过薄膜电晶体(116a–i)耦合至各定址导体(172，174，176)及充电导体(142，144，146)。充电导体(142，144，146)则透过响应各电压波形产生器(252，254，256)之各电压修改电路(132，134，136)被耦合至驱动电路(120)之各级(122，124，126)。各电压修改电路(132，134，136)被安排成以来自各电压波形产生器(252，254，256)之各电压波形对各级(122，124，126)之输出加以调变以便在其充电循环之一部分中对被定址之主动阵列元件加速。以此方式将对应之电荷储存元件及／或对应输出元件之充电时间减少。 |
