多位元堆叠式非挥发记忆体及其制造方法

摘要

本发明揭露一种具有间隙壁浮动闸的多位元堆叠式非挥发记忆体及其制造方法。制造方法包含步骤形成一图案化含砷介电层于半导体基材上，其中图案化含砷介电层定义一开口为主动区域。形成介电间隙壁于图案化含砷介电层之侧壁，以及闸极介电层于半导体基材之表面。利用热驱动法使图案化含砷介电层之砷原子扩散至半导体基材内而形成源极／汲极区域。形成间隙壁浮动闸于介电间隙壁之侧壁及闸极介电层上。形成内介电层包覆间隙壁浮动闸。形成控制闸层位于内介电层上，并填满主动区域之开口。