磁阻式随机存取记忆晶胞结构及其制造方法

摘要

一种磁阻式随机存取记忆(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)晶胞结构及其制造方法，其系将用以写入选定磁阻式随机存取记忆晶胞之两导线均设置在磁阻式随机存取记忆晶胞结构之磁通道接面(Magnetic TunnelJunction；MTJ)元件之上侧。此外，此两导线之制作可利用沉积、微影、以及蚀刻等方式而不用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)方式。