于无传统低温孕核层下在失配基材上成长第III族氮化物薄膜GROWTH OF III-NITRIDE FILMS ON MISMATCHED SUBSTRATES WITHOUT CONVENTIONAL LOW TEMPERATURE NUCLEATION LAYERS

摘要

本发明揭示一种形成一发光装置之方法，其包括提供一蓝宝石基材，在约1000℃与约1180℃之间之一温度下藉由汽相沈积在该基材上成长一Al1–xGaxN第一层，以及成长覆盖该第一层之一第III族氮化物第二层。该第一层可具有在约500埃与约5000埃之间之一厚度。在一些具体实施例中，藉由以第V族先驱物与第III族先驱物之一低莫耳比开始，然后在成长该第一层过程中提高该比率，或藉由将氮用作一环境气体而减少该第V族先驱物与该基材之间的反应。