发明名称 光纤雷射装置和光多工/解多工器以及用于其之影像显示装置
摘要 来自第一激励光源之光入射于第一光纤之一小面上。一纤心由一第一稀土物质掺杂。一谐振部份在纤心感应光谐振,以产生谐振光,藉以在第一光纤之另一小面上提供选取的光。一光多工/解多工器在与第一光纤不同之方向上反射所选波长之光。一第二激励光源供应光经光多工/解多工器及第一光纤之另一小面至第一光纤之谐振部份中。一第二光纤引导所选波长之光自光多工/解多工器至外部。
申请公布号 TWI226192 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW091121038 申请日期 2002.09.13
申请人 东芝股份有限公司 发明人 杉山彻;赤松直树;川井清幸;冈野英明
分类号 H04N5/225;H01S3/06;G02B6/293 主分类号 H04N5/225
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种光纤雷射装置,包含: 一第一激励光源; 一第一光纤,来自第一激励光源之光通过其一小面 入射于其上,其中,一纤心由一第一稀土物质掺杂, 且其中,在纤心中发生光谐振,第一激励光源具有 一谐振部份构制于其中,俾自其另一小面输出所选 波长之光,所选波长之光包含于具有谐振波长之光 中; 一光多工/解多工器,安排于第一光纤之另一小面 处,用以在与第一光纤不同之方向上反射及输出所 选波长之光; 一第二激励光源,将光经由光多工/解多工器及第 一光纤之另一小面供应至第一光纤之谐振部份中; 及 一第二光纤,引导来自光多工/解多工器之具有选 取的波长之光至外部。 2.如申请专利范围第1项所述之光纤雷射装置,其中 ,来自第一及第二激励光源之光具有不同波长,且 各激励纤心中之稀土物质中之电子,以在谐振部份 中产生具有选取的波长之光。 3.一种光纤雷射装置,包含: 用以发射第一波长之光之装置; 用以凝聚由用以发射第一波长之光所发射之光之 装置; 一第一光纤,来自第一聚光装置之凝聚光入射于其 上,第一光纤具有于第二波长谐振之光谐振器,第 一光纤由稀土物质掺杂; 用以发射一第三波长之光之装置; 用以凝聚由用以发射第三波长之光之装置所发射 之光; 一第二光纤,来自用以凝聚由发射第三波长之光之 装置所发射之光之装置所凝聚的光入射于其上,第 二光纤具有于第四波长谐振之光谐振器,第二光纤 由稀土物质掺杂; 一第三光纤,具有一端光连接至第一光纤,及另一 端光连接至第二光纤,第三光纤具有于第五波长谐 振之光谐振器,第三光纤由一稀土物质掺杂;及 波长选择输出装置,用以选择输出第五波长之光于 第一及第二光纤之间。 4.如申请专利范围第3项所述之光纤雷射装置,其中 ,第一及第二光纤中至少之一之光谐振器配置成包 含第三光纤。 5.如申请专利范围第3项所述之光纤雷射装置,其中 ,第一及第三激励装置为半导体雷射。 6.如申请专利范围第3项所述之光纤雷射装置,另包 含一多模式光纤,具有一端光连接至波长选择输出 装置之输出方,及 其中,第五波长之雷射光自多模式光纤之另一端输 出。 7.如申请专利范围第3项所述之光纤雷射装置,其中 ,波长选择输出装置输出第一波长及第三波长之光 以及第五波长之光。 8.如申请专利范围第3项所述之光纤雷射装置,其中 ,第一波长及第三波长在820及1,000nm之间,第二波长 为695nm,第四波长为635nm,及第五波长为455nm。 9.如申请专利范围第3项所述之光纤雷射装置,其中 ,第一光纤由镨离子及镱离子作为稀土物质掺杂, 第二光纤由镨离子及镱离子作为稀土物质掺杂,及 第三光纤由铥离子作为稀土物质掺杂。 10.一种光多工/解多工器,包含: 一第一光I/O部份,包含于一第一光纤中,所选波长 之光自此透射通过其一小面,所选波长之光受引导 至第一光I/O部份; 一反射部份,反射来自第一小面之所选波长之光于 与光之光轴不同之方向上; 一光I/O部份,其中安排一第二光纤之进入小面方, 第二光纤引导光自反射部份至外部;及 一第二光I/O部份,将第三光纤之一出去小面定位成 与第一光I/O输出部份相对,将第三光纤设于第一光 纤之一同轴延伸部上,并将光自第三光纤引导进入 第一光纤。 11.如申请专利范围第10项所述之光多工/解多工器, 其中,一透镜至少配置成位于第一光I/O部份及反射 部份之间,或第二光I/O部份及反射部份之间,或第 二光纤之进入小面及反射部份之间。 12.如申请专利范围第10项所述之光多工/解多工器, 其中,光波导至少配置成位于第一光I/O部份及反射 部份之间,或第二光I/O部份及反射部份之间,或反 射部份及第二光纤之进入小面之间。 13.如申请专利范围第12项所述之光多工/解多工器, 其中,第一及第二光I/O部份对光轴倾斜切割,且横 跨反射部份相对设置。 14.如申请专利范围第10项所述之光多工/解多工器, 其中,自第一光纤,反射部份,及第二光纤被引导至 外部之所选波长之光为蓝雷射光。 15.如申请专利范围第10项所述之光多工/解多工器, 其中,来自第一激励光源之波长635nm之光入射于第 一光纤上,及来自第二激励光源之波长695nm之光入 射于第三光纤上。 16.如申请专利范围第15项所述之光多工/解多工器, 其中,第一及第二激励光源为光纤雷射部份。 17.一种影像显示装置,其中,使用一光纤雷射装置 作为蓝光源,该光纤雷射装置包含一第一激励光源 ;一第一光纤,来自第一激励光之光通过其一小面 入射于其上,其中,纤心由一第一稀土物质掺杂,且 其中,纤心中发生光谐振,第一激励光源具有一谐 振部份形成于其中,自其另一小面输出所选波长之 光,所选波长之光包含于谐振波长之光中;一光多 工/解多工器安排于第一光纤之另一小面上,并在 与第一光纤不同之方向上输出所选波长之光;一第 二激励光源,此供应光经光多工/解多工器及第一 光纤之另一小面至第一光纤之谐振部份;及一第二 光纤,此引导所选波长之光自光多工/解多工器至 外部。 图式简单说明: 图1显示本发明之光纤雷射装置之基本实施例之配 置; 图2显示本发明之光纤雷射装置之另一实施例之配 置; 图3显示本发明之光纤雷射装置之又另一实施例之 配置; 图4显示能阶,并用以说明本发明之光纤雷射装置 之基本原理; 图5显示能阶,并用以说明获得蓝雷射光束之方法 之原理; 图6显示一系统并用以说明本发明之光纤雷射装置 之第一实施例; 图7显示一系统并用以说明本发明之光纤雷射装置 之第二实施例; 图8显示一系统并用以说明本发明之光纤雷射装置 之第三实施例; 图9为透视图,可用以说明本发明之光纤雷射装置 所用之光多工/解多工器第一实施例; 图10为图9所示之构造之断面图; 图11A,11B,及11C可用以说明制造图9所示之配置之基 本部份之方法; 图12为断面图,可用以说明图9所示之光多工/解多 工器之第一改变; 图13为断面图,可用以说明图9所示之光多工/解多 工器之第二改变; 图14为断面图,可用以说明图9所示之光多工/解多 工器之第三改变; 图15为透视图,可用以说明本发明之光纤雷射装置 所用之光多工/解多工器之第二实施例; 图16为图15所示之构造之断面图; 图17为断面图,可用以说明图15所示之光多工/解多 工器之第一改变; 图18为断面图,可用以说明图15所示之光多工/解多 工器之第二改变; 图19为断面图,可用以说明图15所示之光多工/解多 工器之第三改变; 图20为透视图,可用以说明本发明之光纤雷射装置 所用之光多工/解多工器之第三实施例; 图21为图20所示之配置之断面图; 图22为断面图,可用以说明图20所示之配置之一改 变; 图23为断面图,可用以说明图20所示之配置之另一 改变; 图24为透视图,可用以说明本发明之光纤雷射装置 所用之光多工/解多工器之第四实施例; 图25为图24所示之配置之断面图; 图26为断面图,可用以说明图24所示之配置之一改 变; 图27可用以说明本发明之影像显示装置之配置之 一实例;及 图28可用以说明本发明之影像显示装置之配置之 另一实例。
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