| 主权项 |
1.一种光阻剂组成物,其包括: (a)光阻剂树脂,该光阻剂树脂是包括由环烯烃共单 体的加成聚合反应所制得的重复单元的化学放大 光阻剂聚合物,(b)光酸产生剂,其数量占该光阻剂 树脂重量的0.05%到10%,(c)下式1的光自由基产生剂, 其数量为该光酸产生剂的10莫耳%到300莫耳%,和(d) 有机溶剂,其数量为该光阻剂树脂重量的200%到800%, 其中,R1是氢或(C1-C5)烷基; R2是氢,(C1-C5)烷基或苯基;以及 R3是氢,(C1-C5)烷基,苯基或(C1-C5)烷氧基。 2.如申请专利范围第1项的光阻剂组成物,其中该式 1的化合物是选择自,-二甲氧基--苯基甲基 苯基酮和-羟基-,-二甲基甲基苯基酮所组成 之族群中。 3.如申请专利范围第1项的光阻剂组成物,其中光酸 产生剂是选择自二苯基碘六氟磷酸盐,二苯基碘六 氟砷酸盐,二苯基碘六氟锑酸盐,二苯基对甲氧基 苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对甲苯基三氟甲烷磺 酸盐,二苯基对异丁基苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯 基对叔丁基苯基三氟甲烷磺酸盐,三苯基六氟磷 酸盐,三苯基六氟砷酸盐,三苯基六氟锑酸盐, 三苯基三氟甲烷磺酸盐,二丁基基三氟甲烷磺 酸盐,及彼等的混合物。 4.如申请专利范围第1项的光阻剂组成物,其中该光 阻剂聚合物是选择自聚(叔丁基二环[2.2.1]庚-5-烯-2 -羧酸酯/2-羟乙基二环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/原冰 片烯/马来酐)和聚(叔丁基二环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸 酯/2-羟乙基二环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/二环[2.2.1] 庚-5-烯-2-羧酸/马来酐)所组成之族群中。 5.如申请专利范围第1项的光阻剂组成物,其中该有 机溶剂是选择自3-甲氧基丙酸甲酯,3-乙氧基丙酸 乙酯,丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA),环己酮和2-庚酮 所组成之族群中。 6.一种形成光阻图案的方法,其包括以下步骤: (a)将申请专利范围第1项的光阻剂组成物涂覆到基 材上,形成光阻剂薄膜; (b)将该光阻剂薄膜曝光;和 (c)将该曝过光的光阻剂薄膜显影。 7.如申请专利范围第6项的方法,其进一步包括在曝 光步骤(b)之前和/或之后的烘烤步骤。 8.如申请专利范围第7项的方法,其中该烘烤步骤是 在70℃到200℃的温度范围内进行。 9.如申请专利范围第6项的方法,其中曝光步骤的光 源是选择自ArF(193nm),KrF(248nm),VUV(157nm)和EUV(13nm),E- 束,X-射线和离子束所组成之族群中。 10.如申请专利范围第6项的方法,其中曝光能量的 范围是1mJ/cm2到100mJ/cm2。 11.如申请专利范围第6项的方法,其系用于制造半 导体元件。 图式简单说明: 图1a是当涂覆的光阻剂组成物具有低吸光性能时 所形成的垂直图案的截面图。 图1b是当涂覆的光阻剂组成物具有高吸光性能时 所形成的倾斜图案的截面图。 图2显示的是从比较实施例1得到的图案。 图3显示的是从实施例1得到的图案。 图4显示的是从实施例2得到的图案。 |
