| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de formation, par oxydation thermique, d'une couche d'oxyde de silicium sur un circuit intégré comportant des motifs tridimensionnels en silicium, comportant les étapes suivantes :implanter un premier élément selon un premier angle par rapport à l'horizontale, le premier élément étant neutre électriquement et ayant un premier effet sur la vitesse de croissance d'un oxyde thermique sur du silicium ;implanter un second élément selon un second angle par rapport à l'horizontale, le second élément étant neutre électriquement et ayant un second effet complémentaire du premier effet sur la vitesse de croissance d'un oxyde thermique sur du silicium, le second angle étant distinct du premier angle, et l'un des premier et second angles étant un angle droit ; etprocéder à une oxydation thermique du silicium.</P> |
