Stapelkondensator und Verfahren zur Herstellung eines solchen

摘要

Die Erfindung betrifft einen Stapelkondensator (10) mit einer Silizium-Grundplatte (16), einer darüber angeordneten Polysilizium-Mittelplatte (32), einem zwischen der Grundplatte und der Mittelplatte angeordneten unteren Gateoxid-Dielektrikum (26), mit einer über der Mittelplatte angeordneten Deckplatte (36) aus einem metallischen Leiter, und einem zwischen der Mittelplatte und der Deckplatte angeordneten oberen Dielektrikum (34), wobei die Deckplatte und die Grundplatte elektrisch leitend miteinander verbunden sind und gemeinsam eine erste Kondensatorelektrode bilden, und wobei die Mittelplatte (32) eine zweite Kondensatorelektrode bildet. Die Erfindung betrifft weiterhin einen integrierten Schaltkreis mit einem derartigen Stapelkondensator und ein Verfahren zur Herstellung eines Stapelkondensators in einem CMOS- Prozeß.