| 发明名称 |
Method for producing a gate structure for an MOS transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US2004266152(A1) |
申请公布日期 |
2004.12.30 |
| 申请号 |
US20040821251 |
申请日期 |
2004.04.08 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HERZUM CHRISTIAN;MUELLER KARLHEINZ |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L29/423;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/320 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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