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Es wird vorgeschlagen, in einem integrierten Halbleiterspeicher (HS) mehrere, auf nicht überlappenden Flächenabschnitten angeordnete Teilschaltungsblöcke (SB1, SB2) vorzusehen. Diese weisen jeweils eine Blockversorgungs- (LV) und eine Blockmasseleitung (MV) auf, die einzelne Schaltelemente (SE) der Teilschaltungsblöcke (SB1, SB2) mit einer Spannung versorgen. Jede Blockversorgungs- (LV) und Blockmasseleitung (MV) ist mit einer Chipversorgungs- (GV) und einer Chipmasseleitung (MP) verbunden, die außerhalb der Flächenabschnitte der Teilschaltungsblöcke verlaufen. Zumindest eine Verbindung zwischen der Chipversorgungsleitung (GV) und der Blockversorgungsleitung (LV) zumindest eines Teilschaltungsblocks (SB1, SB2) oder zwischen der Chipmasseleitung (MP) und der Blockmasseleitung (MV) zumindest eines Teilschaltungsblocks (SB1, SB2) ist durch eine Schalteinrichtung (S) trennbar. Es wird ferner ein Verfahren zur Reduktion von Leckströmen in einem Halbleiterspeicher (HS) vorgeschlagen, das abhängig von dem Betriebszustand des Halbleiterspeichers (HS) einzelne Teilschaltungsblöcke des Halbleiterspeichers (HS) von einer Spannungsversorgung trennt oder mit dieser verbindet.
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