一种低损耗微波介质陶瓷

摘要

本发明的低损耗微波介质陶瓷是以SrO、Re₂O₃及Ga₂O₃组合而成的表达式为xSrO·yRe₂O₃·zGa₂O₃的微波介质陶瓷，其中，Re是La或Nd，各成分的含量分别是：设SrO的含量为x，Re₂O₃的含量为y，Ga₂O₃的含量为z，45.0摩尔％≤x≤55.0摩尔％，20.0摩尔％≤y≤30.0摩尔％，20.0摩尔％≤z≤30.0摩尔％，x+y+z＝100％。该微波介质陶瓷的介电常数为18－23，Qf值高达65,000～218,000GHz，同时具有近零谐振频率温度系数。

主权项

1.一种低损耗微波介质陶瓷，其特征在于它是以SrO、Re2O3及Ga2O3组合而成的表达式为xSrO.yRe2O3.zGa2O3的微波介质陶瓷，其中，Re是La或Nd，各成分的含量分别是：设SrO的含量为x 45.0摩尔％≤x≤55.0摩尔％， Re2O3的含量为y 20.0摩尔％≤y≤30.0摩尔％， Ga2O3的含量为z 20.0摩尔％≤z≤30.0摩尔％，x+y+z＝100％。