固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法

摘要

本发明提供的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强为10¹～10³Pa的生长气氛中发生分解或反应，在衬底上形成ZnO薄膜。本发明的优点是：1)采用固态源，排除了溶剂蒸气对ZnO薄膜的影响；2)真空度要求低，设备简单；3)薄膜的沉积速率快，生长效率高，适于批量生产；4)沉积得到的ZnO薄膜，显示出一种新的结晶学取向和结构特性。

主权项

1、固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强为1×101～1×103Pa的生长气氛中发生分解或反应，在衬底上形成ZnO薄膜。