发明名称 |
发光的光学半导体主体 |
摘要 |
一种发光的光学半导体主体(1),该半导体主体在工作时从紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中发出电磁辐射,直接在所述半导体主体(1)上敷设有一个包含有发光色料(6)的层(4),该发光色料由一个掺有稀土的磷光体族构成,其粒度≤20μm且d<SUB>50</SUB>-值≤5μm,所述发光色料把来自于所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射的一部分变换成具有更大波长的辐射,使得该半导体主体(1)发出混合的辐射、尤其是混合色的光,该混合的辐射或光由所述具有更大波长的辐射和所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射组成。 |
申请公布号 |
CN1558455A |
申请公布日期 |
2004.12.29 |
申请号 |
CN200410036704.0 |
申请日期 |
1997.09.22 |
申请人 |
西门子公司 |
发明人 |
K·霍恩;A·德布雷;P·施洛特尔;R·施米特;J·施奈登 |
分类号 |
H01L33/00;H01S5/00;C09K11/08 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;王忠忠 |
主权项 |
1.一种发光的光学半导体主体(1),该半导体主体在工作时从紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中发出电磁辐射,其特征在于:直接在所述半导体主体(1)上敷设有一个包含有发光色料(6)的层(4),该发光色料由一个掺有稀土的磷光体族构成,其粒度≤20μm且d50-值≤5μm,所述发光色料把来自于所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射的一部分变换成具有更大波长的辐射,使得该半导体主体(1)发出混合的辐射、尤其是混合色的光,该混合的辐射或光由所述具有更大波长的辐射和所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射组成。 |
地址 |
联邦德国慕尼黑 |