发明名称 |
一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法 |
摘要 |
一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法,其特征在于采用掺杂锗的二氧化硅基片,利用集成电路工艺在SiO2基片上镀制一层掩模薄膜,并进行光刻、腐蚀工艺制作出波导布拉格光栅的掩模图形,再利用紫外光源在二氧化硅基片表面上照射,使得二氧化硅基片的掺锗的波导芯层发生光学折射率变化,从而制作出波导布拉格光栅。用该方法制作布拉格光栅不仅简单易行,而且可以制作多种结构、多种参数的波导布拉格光栅,并可实现波导光栅的进一步集成,从而可降低成本,扩大波导光栅的应用范围,提高波导光栅的生产效率和成品率。 |
申请公布号 |
CN1558260A |
申请公布日期 |
2004.12.29 |
申请号 |
CN200410015772.9 |
申请日期 |
2004.01.14 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
吴亚明;李明;崔丽萍;李四华 |
分类号 |
G02B6/34;G02B6/10;G03F7/20;G03F7/00;H04B10/12 |
主分类号 |
G02B6/34 |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
1.一种制作波导布拉格光栅的方法,其特征在于:在掺锗的二氧化硅基片的表面镀制一层薄膜,利用光刻、腐蚀工艺制作出欲紫外写入的布拉格光栅掩模图形,然后利用紫外光照射,使得二氧化硅基片的掺锗的波导芯层发生光学折射率变化,由此制作出波导布拉格光栅。 |
地址 |
200050上海市长宁区长宁路865号 |