| 发明名称 | 用于深紫外线光刻的层状结构以及形成光刻层状结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于深紫外线光刻的层状结构以及形成光刻层状结构的方法，其中包括：提供一第一体积的有机抗反射化学品；提供一第二体积的光-酸发生元化学品，第二体积是第一体积的0.01％～30％，且光-酸发生元化学品的含量在有机抗反射化学品与光-酸发生元化学品的总量的1wt％至15wt％范围之外；基本同时混合第一体积的有机抗反射化学品和第二体积的光-酸发生元化学品，以得到一增强抗反射化学品，其酸水平得到提高，其中，增强抗反射化学品酸水平的增加减少了后续在抗反射涂层(ARC)的界面上旋涂深紫光致抗蚀剂层的酸损的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1182440C | 申请公布日期 | 2004.12.29 |
| 申请号 | CN98116275.4 | 申请日期 | 1998.08.11 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 鲁志坚 |
| 分类号 | G03F7/09 | 主分类号 | G03F7/09 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种形成光刻层状结构的方法，其中该光刻层状结构形成在集成电路的半导体衬底(200)上，该方法包括：提供一抗反射化学品；提供一光-酸发生元化学品；在所述衬底(200)上提供一多层光致抗蚀剂结构，该结构包括下部抗反射层(204)和上部深紫外线光致抗蚀剂层(206)，其中所述光-酸发生元成分的化合物被加入到所述抗反射层(204)中；对所述光致抗蚀剂结构曝光；显影所述光致抗蚀剂层(206)以形成所述层状结构，其特征在于，所述抗反射层(204)是有机聚合物层，该有机聚合物层混合有占该有机聚合物的体积的0.01％至30％的光-酸发生元，且该光-酸发生元的含量在所述抗反射层(204)的干成分的总量的1wt％至15wt％的范围之外，所述深紫外线光致抗蚀剂层(206)包括有机聚合物树脂成分和光-酸发生元成分。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||