| 发明名称 |
极紫外光20nm～40nm光谱发生器 |
| 摘要 |
本发明提供一种极紫外光20nm～40nm光谱发生器。本发明紫外光20nm～40nm光谱发生器包括产生摄氏温度1.4万度至2.4万度高温的等离子体喷嘴2，等离子体导电极导气孔3，高纯石英玻璃壳12，聚光反射腔9等共25种零件构成(参见说明书摘要附图1)。本发明光谱发生器在工作时等离子体的温度在1.4万℃～2.4万℃之间，释放出较多能量的极紫外光20nm～40nm的光谱，可用于超大规模集成电路用于线宽≤20nm的光刻工艺，并能用于纳米级显微镜的光源。 |
| 申请公布号 |
CN1558264A |
申请公布日期 |
2004.12.29 |
| 申请号 |
CN200410021728.9 |
申请日期 |
2004.02.02 |
| 申请人 |
成都高新区食用生物制品研究所 |
发明人 |
何安成;王明清 |
| 分类号 |
G02B27/00;G03F7/20;G02B21/00 |
主分类号 |
G02B27/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.权力要求1极紫外光20nm～40nm光谱发生器，其特征在于产生1.4万℃～2.4万℃高温的等离子体喷嘴，等离子体导电极导气孔，等离子体发光罩高纯石英玻璃壳，聚光反射腔。 |
| 地址 |
610041四川省成都市高新区创业路2号 |
