发明名称 |
使用动态反馈计算工艺参数的研磨方法 |
摘要 |
本发明为一种使用动态反馈计算工艺参数的研磨方法,其步骤包含:操作者(或自动化系统)提供一第一工艺参数;根据该第一工艺参数对一第一晶片进行研磨;量测经研磨完成的该第一晶片,以取得其量测数据;根据一特定法则及该量测数据计算经补偿的第二工艺参数;以及使用该第二工艺参数取代该第一工艺参数,并根据该第二工艺参数对下一片待研磨晶片进行研磨。 |
申请公布号 |
CN1182572C |
申请公布日期 |
2004.12.29 |
申请号 |
CN02106002.9 |
申请日期 |
2002.04.03 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
李志宏;黄启业;李企桓;刘国儒;周良奎 |
分类号 |
H01L21/302;B24B1/00;G06F17/00 |
主分类号 |
H01L21/302 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
任永武 |
主权项 |
1.一种使用动态反馈计算工艺参数的研磨方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一第一工艺参数;根据该第一工艺参数对一第一晶片进行研磨;量测经研磨完成的该第一晶片,以取得其量测数据;根据一特定法则及该量测数据计算经补偿的第二工艺参数;使用该第二工艺参数取代该第一工艺参数,并根据该第二工艺参数对一第二晶片进行研磨;以及当该研磨工作研磨至一固定时间时进行测机的手续,该手续包含取一测机晶片配合一测机参数进行研磨,进而量测并计算该测机晶片研磨前与研磨后的研磨移除量差值以得到该测机晶片的研磨率与均匀度,用以作为判断该研磨垫是否要更换的依据。 |
地址 |
台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |