Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Auswerten des Herstellungsprozesses für eine Halbleitervorrichtung

摘要

Ein p-leitender Fremdstoffbereich (3) bildet einen RESURF-Isolierbereich in einer n·-·-leitenden Halbleiterschicht (2). Eine Grabenisolierstruktur (8a) und der p-leitende Fremdstoffbereich (3) bilden zusammen einen Grabenisolierbereich in der n·-·-leitenden Halbleiterschicht (2) in dem RESURF-Isolierbereich. Ein nMOS-Transistor (103) ist in dem Grabenisolierbereich vorgesehen. Eine Steuerschaltung ist in dem RESURF-Isolierbereich außerhalb von dem Grabenisolierbereich vorgesehen. Ein n·+·-leitender vergrabener Fremdstoffbereich (4) ist an der Grenzfläche zwischen der n·-·-leitenden Halbleiterschicht (2) und einem p·-·-leitenden Halbleitersubstrat (1) sowie unter einem n·+·-leitenden Fremdstoffbereich (7) vorgesehen, der mit einer Drainelektrode (14) des nMOS-Transistors (103) verbunden ist.