半导体器件的包封金属结构及包括该结构的电容器

摘要

在侧壁和底部被阻挡层覆盖的结构特征中制造包封金属结构的方法。结构特征中填充金属，其中形成凹部，淀积附加阻挡层覆盖金属上表面并与第一阻挡层接触。可用包封金属结构作电容器下极板制造MIM电容器。在衬底上淀积第二衬底层，其中具有位于包封金属结构上的开口。在开口中淀积介质层覆盖底部的包封金属结构。淀积用作电容器上极板的附加层覆盖所说介质层，并填充所说开口。较好是利用CMP平面化所说介质层和附加层。

主权项

1、一种在结构特征中制造包封金属结构的方法，所说结构特征形成于具有上表面的衬底中，并具有侧壁和底部，所说方法包括以下步骤：在衬底的上表面上和结构特征的侧壁和底部上，淀积第一阻挡层；用金属填充所说结构特征；在金属中形成第一凹部，使金属的上表面低于衬底的上表面；在金属的上表面上淀积第二阻挡层；及平面化所说第一阻挡层和第二阻挡层，使衬底的上表面露出，第二阻挡层的余留部分在金属上表面上，并且金属上表面的一部分露出；在金属的暴露部分形成第二凹部；在金属的上表面上和第二阻挡层的余留部分上，淀积第三阻挡层，从而填充金属中的第二凹部；及平面化第三阻挡层，使衬底的上表面露出，所说金属被所说第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层包封。